EMOSFET (Enhancement MOSFET)
EMOSFET atau Enhancement MOSFET adalah sejenis MOSFET yang hanya bekerja dengan enhancement action saja.
![struktur_emosfet](https://blogger.googleusercontent.com/img/b/R29vZ2xl/AVvXsEgy5bIVb9Li_FaAvVg58jAiUwc1m3uwtOgETfvPXJef04X4mHpTQU3DTM-xB5F5Py0iMYfBbNc-MEC2W28MpzDR1RoGGsrB-RfTneHAqJHgnOSsqJgxGZ8wPLUxBRHvKSaljkHB8_SMR7M/s400/struktur_emosfet.png)
Gambar di atas menunjukan struktur sebuah EMOSFET. Disini substrate menutup seluruh saluran jalan antara source dan drain. EMOSFET ini banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian digital.
Berikut ini ditunjukan gambar rangkaian EMOSFET lengkap dengan pencatuannya.
![bias_tegangan_emosfet](https://blogger.googleusercontent.com/img/b/R29vZ2xl/AVvXsEgeGrSENnUWClrLN_Y305hR0tvtvIS6_SXSlIXEtlHzKgVh1YdMc_gUlmP4WfijKZ_8vuuoplLwvtJHD0T7fTzefnK5aQf16vVWeZfSjzcf_Bqwy9-N4d6RVn6tnxnd4biFt99U2Y_Tlmw/s400/bias_tegangan_emosfet.png)
Apabila gate diberi tegangan positif yang cukup besar, maka arus drain akan mengalir. Hal ini dijelaskan sebagai berikut:
Gate dan subtrate berfungsi sebagai kapasitor dan oksida logam sebagai dielektriknya. Bila gate mendapat tegangan positif, akan terinduksikan muatan negatif pada substrate. Muatan negatif ini adalah berupa ion-ion negatif (atom-atom aseptor tanpa hole) yang ada pada bahan P tersebut. Apabila tegangan positif pada gate dinaikkan hingga suatu harga tertentu, elektron-elektron bebas disekitar wilayah itu akan ditarik dan ikut ion negatif tersebut, sehingga dengan demikian sepanjang gate akan terbentuk suatu lapisan tipis. Elektron-elektron bebas berfungsi sebagai pembawa muatan, lapisan elektron bebas ini disebut N-type Inversion Layer.
![struktur_emosfet](https://blogger.googleusercontent.com/img/b/R29vZ2xl/AVvXsEgy5bIVb9Li_FaAvVg58jAiUwc1m3uwtOgETfvPXJef04X4mHpTQU3DTM-xB5F5Py0iMYfBbNc-MEC2W28MpzDR1RoGGsrB-RfTneHAqJHgnOSsqJgxGZ8wPLUxBRHvKSaljkHB8_SMR7M/s400/struktur_emosfet.png)
Gambar di atas menunjukan struktur sebuah EMOSFET. Disini substrate menutup seluruh saluran jalan antara source dan drain. EMOSFET ini banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian digital.
Berikut ini ditunjukan gambar rangkaian EMOSFET lengkap dengan pencatuannya.
![bias_tegangan_emosfet](https://blogger.googleusercontent.com/img/b/R29vZ2xl/AVvXsEgeGrSENnUWClrLN_Y305hR0tvtvIS6_SXSlIXEtlHzKgVh1YdMc_gUlmP4WfijKZ_8vuuoplLwvtJHD0T7fTzefnK5aQf16vVWeZfSjzcf_Bqwy9-N4d6RVn6tnxnd4biFt99U2Y_Tlmw/s400/bias_tegangan_emosfet.png)
Apabila gate diberi tegangan positif yang cukup besar, maka arus drain akan mengalir. Hal ini dijelaskan sebagai berikut:
Gate dan subtrate berfungsi sebagai kapasitor dan oksida logam sebagai dielektriknya. Bila gate mendapat tegangan positif, akan terinduksikan muatan negatif pada substrate. Muatan negatif ini adalah berupa ion-ion negatif (atom-atom aseptor tanpa hole) yang ada pada bahan P tersebut. Apabila tegangan positif pada gate dinaikkan hingga suatu harga tertentu, elektron-elektron bebas disekitar wilayah itu akan ditarik dan ikut ion negatif tersebut, sehingga dengan demikian sepanjang gate akan terbentuk suatu lapisan tipis. Elektron-elektron bebas berfungsi sebagai pembawa muatan, lapisan elektron bebas ini disebut N-type Inversion Layer.
Tidak ada komentar
No spam, no active link, please ^_^